IT之家 8 月 12 日音讯，韩媒 ETNews 报谈称，三星电子里面已证据在平泽 P4 工场开采 1c nm DRAM 内存产线的投资算计打算【MDE-225】デジタルモザイク Vol.038 ゆりあ，该产线研究来岁 6 月干预运营。
平泽 P4 是一座详尽性半导体坐蓐中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 坐蓐设备，但摈弃了二期开采。
婷婷第四色而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）家具现在均尚未持重发布。韩媒在报谈中称【MDE-225】デジタルモザイク Vol.038 ゆりあ，三星电子算计打算在本年底开动 1c nm 内存坐蓐。
▲ 三星平泽厂区左证IT之家此前报谈，三星电子筹商在来岁下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程提高 HBM4 家具的能效竞争力，追逐 HBM 限度进步者 SK 海力士。
筹商到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的耗尽量远高于传统内存，平泽 P4 开采 1c nm DRAM 产线亦然在为可能的 HBM4 坐蓐需求作念好准备。
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